Aktualności
Jednym ze sposobów na udoskonalenie elektroniki opartej na krzemie jest integracja krzemu z materiałem posiadającym takie właściwości jak przerwa energetyczna w zakresie 1-2 eV i wysoka ruchliwość nośników ładunku. Materiałem spełniającym te wymagania jest HfSe2, należący do grupy dichalkogenków metali przejściowych (TMDs). Kluczowym aspektem dotyczącym możliwego zastosowania HfSe2 w elektronice jest jego utlenianie. W artykule […]
