Jak wyhodować grafen? Czy to trudne?

Na te pytania odpowiedzi znajdziesz w najnowszym artykule ”𝘚𝘵𝘦𝘱-𝘣𝘺-𝘴𝘵𝘦𝘱 𝘴𝘪𝘭𝘪𝘤𝘰𝘯 𝘤𝘢𝘳𝘣𝘪𝘥𝘦 𝘨𝘳𝘢𝘱𝘩𝘪𝘵𝘪𝘴𝘢𝘵𝘪𝘰𝘯 𝘱𝘳𝘰𝘤𝘦𝘴𝘴 𝘴𝘵𝘶𝘥𝘺 𝘪𝘯 𝘵𝘦𝘳𝘮𝘴 𝘰𝘧 𝘵𝘪𝘮𝘦 𝘢𝘯𝘥 𝘵𝘦𝘮𝘱𝘦𝘳𝘢𝘵𝘶𝘳𝘦 𝘱𝘢𝘳𝘢𝘮𝘦𝘵𝘦𝘳𝘴” autorstwa K. Idczak, S. Owczarek, A. Trembułowicza i B. Rusina, gdzie krok po kroku analizowany jest proces wysokotemperaturowego wygrzewania kryształu węglika krzemu (SiC) przy zastosowaniu różnych parametrów.

Najważniejsze informacje dotyczące opublikowanych wyników:
• Proces grafityzacji badano jako funkcję temperatury i czasu.
• Aby pokazać rolę wybranych parametrów, zastosowano cztery różne procedury wyżarzania.
• Parametr czasu określa wystarczającą liczbę wolnych atomów węgla do utworzenia grafenu.
• Temperatura wpływa na stan powierzchni struktury i jednorodność grafenu na powierzchni.