Właściwości elektronowe i optyczne nieuporządkowanego getchellitu

W publikacji pt. Electronic and optical properties of disordered getchellite: A photoreflectance, optical absorption, photoemission, and theoretical investigation przedstawiono podstawowe właściwości elektronowe i optyczne kryształu getchellitu (AsSbS3). Kryształ ten jest nieuporządkowanym stopem, w którym atomy As i Sb są losowo rozmieszczone w pozycjach węzłowych (Rysunek 1). Ponadto AsSbS3 jest półprzewodnikowym materiałem warstwowym – atomy w danej warstwie są związane kowalencyjnie/jonowo, a oddziaływania van der Waalsa łączą sąsiadujące warstwy.

Agata Sabik
Rysunek 1. Komórka elementarna AsSbS3 (po lewej). Kolorem żółtym oznaczono atomy siarki; Schemat położenia maksimum pasma walencyjnego i minimum pasma przewodnictwa w AsSbS3 (po prawej).

W pracy zaprezentowano, że AsSbS3 jest półprzewodnikiem typu p, którego właściwości optyczne są zdominowane przez proste przejście. Fundamentalna przerwa wzbroniona o szerokości 2,31 eV w temperaturze 0 K jest skośna. Dla pojedynczej warstwy materiału, rozważanej w badaniach teoretycznych, wyniki ujawniły zmianę charakteru fundamentalnej przerwy wzbronionej na prosty.

Praca Electronic and optical properties of disordered getchellite: A photoreflectance, optical absorption, photoemission, and theoretical investigation opublikowana w APL Materials z otwartym dostępem (Open Access), autorstwa Agaty Sabik, Miłosza Grodzickiego, Macieja P. Polaka, Sandeepa Gorantli, Alicji Bachmatiuk, Roberta Kudrawca i Wojciecha M. Linharta, powstała w ramach realizacji zadań badawczych projektu OPUS NCN pt. Absorbery z tolerancją defektów do zastosowań w fotowoltaice (nr projektu: 2019/35/B/ST5/02819).

Projekt "Zintegrowany Program Rozwoju Uniwersytetu Wrocławskiego 2018-2022" współfinansowany ze środków Unii Europejskiej z Europejskiego Funduszu Społecznego

Fundusze Europejskie
Rzeczpospolita Polska
Unia Europejska
NEWSLETTER